純度: | 99.9%、99.999%、99.9995% | MF: | HCL |
---|---|---|---|
CASいいえ。: | 7647-01-0 | モルの固まり: | 36.46 g·mol−1 |
EINECSいいえ。: | 231-595-7 | 密度: | 1.49のg L−1 |
融点: | -114.22℃ | 沸点: | -85.05℃ |
ハイライト: | 大きい産業ガス,産業ガス |
99.9%純粋な産業ガスの化学等級、水様の塩化水素のガス
記述:
塩化水素はボディ ティッシュで見つけられる水が付いている接触の腐食性の塩酸を形作る。発煙の吸入により肺水腫、循環系の失敗および死鼻の咳をし、窒息し、発火、喉そして上部の、そして最悪の場合呼吸器管を引き起こす、ことができる。皮膚の接触により赤み、苦痛および厳しい皮の焼跡を引き起こすことができる。塩化水素により目および永久的な目損傷に厳しい焼跡を引き起こすかもしれない。
ガスは、で強く親水性、反作用の排気ガスから水を通って泡立つことによってそれ容易にごしごし洗うことができ有用な塩酸を副産物として作り出す。
塩化水素のガスを扱うどの装置でも定期的に点検されなければならない;特に弁の茎および調整装置。ガスはと相互に作用しているまたは単独で多数の材料の塩酸を腐食することはので、流れ道のすべてのぬらされた部品の専門にされた材料の使用を要求する;ステンレス製および規則的なポリマーのような。
指定:
1.物理的性質
商品 |
塩化水素 |
分子方式 | Hcl |
国連いいえ。 | UN1050 |
CASいいえ。 |
7647-01-0 |
transortのための危険なクラス | 2.3 |
2.典型的な技術的なデータ(COA)
指定 | Purity/10-6 |
Hclの≥ | 99.9% |
N2の≤ | 60 |
O2 ≤ | 60 |
THCの≤ | 1500 |
H2Oの≤ | 3 |
露点/℃の≤を | -66 |
HCl |
≥ |
99.999% | %V |
N2 |
≤ |
2 | ppmv |
O2+Ar |
≤ |
1 | ppmv |
THC (CH4) |
≤ |
1 | ppmv |
CO |
≤ |
1 | ppmv |
二酸化炭素 |
≤ |
1 | ppmv |
H2O |
≤ |
1 | ppmv |
Fe |
≤ |
0.1 | ppmw |
カリフォルニア |
≤ |
0.01 | ppmw |
Cr |
≤ |
0.05 | ppmw |
Co |
≤ |
0.01 | ppmw |
CD |
≤ |
0.01 | ppmw |
CU |
≤ |
0.01 | ppmw |
Pb |
≤ |
0.01 | ppmw |
Mn |
≤ |
0.01 | ppmw |
Mg |
≤ |
0.01 | ppmw |
NI |
≤ |
0.05 | ppmw |
K |
≤ |
0.01 | ppmw |
Na |
≤ |
0.01 | ppmw |
Zn |
≤ |
0.01 | ppmw |
3. パッケージ
シリンダー サイズ |
|
弁 |
|
40ltr | 25kgs | CGA330 | 弁のタイプに従って |
43ltr | 25kgs | CGA330 | 弁のタイプに従って |
利用できるまた他のサイズおよび標準 |
適用:
1 | ほとんどの塩化水素は塩酸の生産で使用される。 |
2 | ゴムのHydrochlorination |
3 | ビニールおよびalkyl塩化物の生産 |
4 | 半導体工業では、それは両方の腐食の半導体の水晶に使用され、trichlorosilane (SiHCl3)によって浄化するためにケイ素を |
5 | また綿をdelintにそれ扱い、ウールから分けることを使用するかもしれない |
6 | 実験室では、ガスの無水形態は作用するためにルイスの場所のために絶対に乾燥しなければならないルイスの塩化物ベースの酸を発生させるために特に有用である。それを渡すことによってまたそれがこれらの材料の対応する水和させた形態を乾燥するのに使用することができる熱されると同時に;材料別の方法でHClのガスに自身は腹を立て、分解する。どちらも標準的な乾燥器方法を使用してこれらの水和物乾燥することができない |